是德直播| 迎接5G测试挑战，带你把握时下热点

《 》2020首播圆满成功

一个半小时的直播，一千八百六十二的点击量，近两百热情观众，三重好礼相送……1月8日上午，由是德科技主办，《Compound Semiconductor》的中文版《 》承办的线上直播活动圆满启动。围观直播的观众们，已经在直播间里追着留言：要看主题，要看回放，要PPT资料，要讲师信息……
 

伴随5G、电动汽车等行业的兴起，第三代半导体受到广泛的关注。它的宽禁带特点使其具有更高的击穿电压、更高的导热率，从而特别适合于高温、高功率等应用场景。本次线上研讨会由是德科技汽车与能源事业部业务拓展经理朱华朋坐镇直播间，带领大家聚焦GaN、SiC等第三代半导体器件的各类测试挑战以及是德科技相应的解决方案。

精彩对话回顾

感谢朱经理的分享，请问动态测试仪后续电压等级会有升级的计划吗？

朱华朋：目前我们的1200V动态参数测试仪是指母线电压1200V，动态参数测试和静态参数测试不一样，一般测试条件是一半的额定电压，例如1700V的SiC MOSFET测试电压一般是850V，当然我们后续也会支持更高电压的测试，例如3300V甚至更高，这些系统都是在目前的系统上可升级的。

GaN 动静态测试平台，何时发布？

朱华朋：B1506可以满足GaN静态参数测试，但是GaN的电流崩塌需要动态参数去测试。动态参数预计今年年底会发布。

这个B1506A功率器件分析仪，可以出曲线图吗？

朱华朋：一般器件指标书里的所有电气特性曲线都可以测试，包括Id vs Vds; Id vs Ggs; Rdson vs Id; Rdson vs Vgs; Vds vs Vgs; If vs Vf; Ciss/Coss/Crss vs Vds; Qg曲线等。

请问功率器件开关切换时候的瞬态电路，应该如何测量？对应插入电感怎么样？

朱华朋：瞬态电流我们很难找到20M以上的带宽去测试，这个确实比较难找到这么宽的带宽来做这个测试，以前IGBT用柔性探头较多，但是带宽不够。

SiC MOSFET双脉冲测试时候柔性探头圈S端和D端会有很大差异吗？

朱华朋：首先柔性探头是不能满足SiC MOSFET的测量的，因柔性探头的带宽非常低，基本上是在10M,最多20M，要是测SiC的电流上升以及震荡一定是不准确的。另外，柔性探头测试因为不会对回路中的电感产生较大的影响，因此放在D或者S端进行测试差异不大。

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