三安光电荣获国家科学技术进步奖一等奖

1月10日上午，国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂举行。三安光电以“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目，与中科院等联袂荣获国家科学技术进步奖一等奖。

记者了解到，此次三安光电与中科院半导体研究所，通过共同承担国家科研任务、签署技术合作协议等方式开展密切合作，攻关半导体照明产品光电转化效率、长期工作可靠性等核心技术难题。最终，项目从半导体照明材料、芯片、封装、模组与应用全链条形成了具有自主知识产权的高光效长寿命半导体照明全套技术，实现了国内产业龙头企业芯片技术产业化与核心器件国产化。

“此次项目成果包括p型氮化物掺杂与量子阱结构设计、微纳图形化衬底及成核技术、新型缓冲层的高质量氮化物外延技术、激光诱导光提取技术等多项外延芯片技术率先在三安光电进行推广与量产。”三安光电副总经理蔡文必接受采访时表示，这些成果促进了三安光电外延芯片的技术发展，使得我国半导体照明芯片由完全依赖进口到自主可控全面国产化，实现了替代进口。

对于LED产业发展前景，蔡文必表示，以氮化物基发光二极管(LED)为核心器件的新一代半导体照明光源具有高效节能、绿色环保的特点，是全球最有发展前景的高技术产业之一。随着各国淘汰白炽灯计划进一步实施，LED 通用照明市场将呈现爆发式增长。

“‘再造一个三安’已踏出新的征程。”蔡文必进一步介绍说，为巩固三安光电在传统半导体照明领先地位，三安光电也在继续联合中科院等科研机构，向高端、新兴半导体照明领域加快拓展。

目前，三安光电分别投资高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED芯片、车用LED照明等领域，公司在“泉州芯谷”南安园区建设的半导体项目和湖北省鄂州市的Mini/Micro LED显示芯片产业化项目建设进展顺利。