赣州名冠微功率芯片项目签约

11月底，赣州经开区举行名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目签约仪式，与名芯有限公司(香港)、电子科技大学广东电子信息工程研究院正式签订功率芯片项目投资合同。 

签约仪式上，电子科技大学广东电子信息工程研究院院长陈雷霆介绍了电子科技大学并重点介绍了广东电子信息工程研究院的办学定位、办学特点和技术优势，表示该研究院将为项目发展提供有力的技术支撑，将持续推动科学技术产业化，把握发展机遇，积极主动作为，助力实现高质量跨越式发展。 

据了解，名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目由名芯有限公司(香港)、经开区管委会、电子科技大学广东电子信息工程研究院共同投资，项目总投资约200亿元，用地550亩，分两期建设：项目一期建设一条8英寸0.09-0.11μm功率晶圆生产线，投资约65亿元(其中进口晶圆制造设备约36亿元、厂房约15亿元)，目标产能8万片/月，目标年产值40亿元；项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线，投资约140亿元，项目整体达产达标后年产值过百亿元。项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等，覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。项目建成后，将填补全省8英寸功率半导体晶圆生产线空白，也是赣州市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。

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此项目待观察，但从上面宣传的工艺来看，堪忧！须知，一般8寸工艺也就是.13um；不知作为技术提供方的广东电子信息工程研究院，是否具备成熟的.09um产线工艺。