耐威科技拟在青岛投建氮化镓晶圆项目

耐威科技(300456.SZ)公布，2019年11月6日，公司与青岛西海岸新区管委签署《合作框架协议》，双方本着平等自愿、互惠互利、共同促进和共同发展的原则，经友好协商，签署该协议。

青岛西海岸新区管委为青岛西海岸新区的行政主管单位，青岛西海岸新区(“新区”)是国务院批准的第9个国家级新区，处于山东半岛蓝色经济区和环渤海经济圈内，新区陆域面积约2128平方公里、海域面积约5000平方公里。新区处于京津冀和长三角两大都市圈之间核心地带，与日本、韩国隔海相望，具有贯通东西、连接南北的战略优势，是黄河流域主要出海通道和亚欧大陆桥东部重要端点，具有辐射内陆、联通南北、面向太平洋的战略区位优势。

协议的主要内容(甲方：青岛西海岸新区管委乙方：北京耐威科技股份有限公司）：

甲乙双方根据国家有关法律法规及青岛西海岸新区发展规划，本着共同发展、互利共赢的原则，经友好协商，就乙方拟在新区投资建设氮化镓(GaN)晶圆制造项目初步达成意向如下：

1、项目基本内容

项目拟建设一条6英寸氮化镓微波器件生产线和一条8英寸氮化镓功率器件生产线；项目总建筑面积约20.40万平米，其中厂房与办公建筑面积约18.00万平米，宿舍面积约2.40万平米。项目建成后，将有助于青岛形成氮化镓(GaN)基础材料全产业链基地及产业集群。

2、项目用地

项目选址于海洋高新区大珠山路以西、疏港高速以北，总占地面积约240亩，甲方依法依规提供项目用地，一期供应东侧约136亩土地用于建设，二期预留西侧地块约103亩。(具体以实际勘测为准)

3、项目资金

项目一期投资由乙方联合有关产业投资基金共同出资不少于50%；其余资金由甲方协调安排相关国有企业以土地厂房出资或直接投资方式解决，具体合作方式乙方与相关国有企业另行约定。

此次签署的《合作框架协议》涉及对公司从事第三代半导体业务的子公司层面的投资，具体投资安排待定，预计不会对公司 2019年度经营业绩产生影响；暂时无法预计对公司未来年度经营业绩所产生的影响。

第三代半导体材料主要包括 (SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

截至目前，公司已于2018年7月在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发；已于2018年6月在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已于2019年9月达到投产条件，正式投产。

公司此次与青岛西海岸新区管委签署《合作框架协议》，拟在新区投资建设氮化镓(GaN)晶圆制造项目，若项目顺利建成，将有利于公司在第三代半导体领域的全产业链布局，把握产业发展机遇，尽快拓展相关材料与器件在5G通信、物联网、数据中心、新型电源等领域的推广应用，有利于提高公司的综合竞争实力，将对公司的长远发展产生积极影响，符合公司发展战略和全体股东的利益。