第一届亚太 及相关材料国际会议将于7月在北京举行

亚太地区知名专家学者将齐聚APCSCRM 2018

北京2018年6月15日电 /美通社/ -- 近年来， 等宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点。宽禁带半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。国际上已有ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials) 和ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)两大品牌国际会议，在地域上主要体现为美国和欧洲的科技发展态势，为了推动亚太地区 等宽禁带半导体产业与学术的发展，加强交流与协同创新，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科院物理所和北京硅酸盐学会发起并主办第一届亚太 及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM 2018)将于2018年7月9日-12日在北京举行，参会规模近400人。

此次会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对亚太地区 等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。 

APCSCRM将是一个亚太地区高水平的 等宽禁带半导体相关材料、器件的产业与学术并重的高水平论坛。从2018年开始，每年召开一次大会，地点在亚太地区不同地点轮换。

APCSCRM会议邀请来自亚太地区知名的专家学者齐聚一堂，共同学习和交流宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装和器件模块应用等领域理论和技术。以下是部分邀请专家简介：

1. 新井 学（新日本无线，日本）

报告名称：宽禁带半导体（ 、氮化镓、氧化镓和金刚石）器件综述

2. 高冰（武汉大学，中国）

报告名称： PVT生长基面位错模拟及其控制

3. 顾亦磊（阳光电源股份有限公司，中国）

报告名称：基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆变器

4. 土方 泰斗（琦玉大学，日本）

报告名称：基于Si和C的发射模型的SiC的热氧化过程的宏观模拟

5. 黄伟（复旦大学，中国）

报告名称：可融合GaN/Si半导体器件与集成技术

6. 岩室 宪幸（筑波大学，日本）

报告名称： MOSFET器件的最新进展

7. 纪世阳（产业技术综合研究所，日本）

报告名称：CVD外延——新型4H-SiC超结MOSFET的关键技术

8. 李顺峰（北京大学东莞光电研究院，中国）

报告名称：硅基GaN功率电子器件的开发应用与展望

9. 刘国友（中国株洲中车时代电气股份有限公司，中国）

报告名称：SiC器件在轨道交通中的应用前景

10. 陆国权（弗吉尼亚理工大学，美国）

报告名称：汽车用高功率密度 功率模块的封装

11. 松浦 秀治（ 大阪电气通信大学，日本）

报告名称：利用霍尔效应测量宽禁带半导体的电学特性

12. 水原 德健（ROHM半导体(上海)有限公司，日本）

报告名称：功率器件(SiC)的市场应用~SiC功率器件的特征、应用

13. 邱显钦（长庚大学，台湾）

报告名称：六寸硅基氮化鎵功率与微波器件封装与模块开发

14. 邱宇峰（全球能源互联网研究院，中国）

报告名称：SiC器件在未来电网中的应用

15. 孙国胜（东莞天域半导体科技有限公司，中科院半导体所，中国）

报告名称：4H-SiC中三角形缺陷结构及成因研究进展

16. 温旭辉（中国科学院电工研究所，中国）

报告名称：电动汽车用超高功率密度SiC逆变电源的技术途径分析

17. 张清纯（北卡罗来纳州立大学，美国）

报告名称：宽禁带半导体器件（氮化镓和 ）及其应用的现状与展望

本次会议还面向国内外高校、科研院所和企事业单位的宽禁带半导体材料、器件、应用领域的专业技术人员征稿，投稿说明：

1. 投稿通过APCSCRM官网在线投稿

（投稿操作说明：http://www.apcscrm2018.iawbs.com，论文提交栏目下载）

2. 摘要提交截止日期：2018年6月30日

3. 全文投稿截止日期：2018年7月31日

4. 投稿人请随时关注论文评审情况（APCSCRM官网在线投稿系统）。

消息来源 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟