东芝新开发的全隔离N沟道LDMOS

东芝新开发的全隔离N沟道LDMOS在0.13微米模拟功率半导体中实现高HBM鲁棒性和负偏压高击穿电压

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝(TOKYO:6502)已成功研发出全隔离N沟道横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术，解决了负偏压击穿电压(BVnb)和HBM鲁棒性（衡量抗静电放电(ESD)性的指标）之间的权衡问题。该技术成果的详情于2017年6月1日在功率半导体器件与集成电路国际研讨会(ISPSD 2017)上公诸于众，这是一场在日本举行的IEEE功率半导体国际会议。

近年来，市场对搭载全隔离N沟道LDMOS且具备高BVnb的汽车模拟IC和功率IC的需求日益增加，尤其是支持40V以上电压的器件。直至今日，为了实现衬底和裸芯成本方面的进展。此外，由于HBM鲁棒性是一个难以估算的参数，需要实际地制造器件，因此，迫切需要一个评估HBM鲁棒性的新参数。

为了在尽可能缩小裸芯片尺寸的同时解决HBM鲁棒性和BVnb之间的权衡问题，东芝对众多参数进行了二维TCAD仿真并发现了电流集中度取决于HBM鲁棒性，电流集中度与漏极区(E_UD)下的电场峰值相对应。因此，东芝通过调整各种参数，利用E_UD优化裸芯片特性，成功提高了HBM鲁棒性，同时实现了25-96V的额定电压。从而使80V全隔离N沟道LDMOS产品的裸芯片尺寸减少46%，满足HBM +/-4kV的HBM鲁棒性指标。

东芝已生产出采用新技术的、基于BiCD-0.13G3工艺的器件样机，大批量生产计划于2018财年开始。公司将通过扩大提供全隔离N沟道LDMOS的产品阵容，积极致力于促进实现更轻便、更高效的汽车，同时提高汽车性能。

*1 HBM（人体模型）：一种表征电子器件静电放电(ESD)敏感性的模型，基于人体的静电放电。

*2 全隔离N沟道LDMOS：一种横向扩散金属氧化物半导体(MOS)晶体管，具备一种特殊结构，可通过在漏极与栅极之间进行完全电气隔离，从而减少漏极与栅极之间的电场。

*3 E_UD（漏极区电场）：在漏源极下观察到的电场强度。

*4 BiCD-0.13G3工艺技术：东芝功率半导体工艺技术之一。用户可根据应用场

合选择适用的工艺：BiCD-0.13G1/G2/G3主要面向汽车器件；CD-0.13G3主要面向电机控制驱动器； CD-0.13G1/G2主要面向电源管理IC。

关于东芝

东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域：更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务；保持生活质量的基础设施业务；以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝竭力推动全球业务，并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。

东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业，全球拥有超过188,000名员工，年销售额逾5.6万亿日元（500亿美元）。（截至2016年3月31日。）

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