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向下一代半导体的研究更进一步？

2022/6/17 7:54:14 材料来源：

韩国研究小组使用Cl掺杂的二硒化锡选择性地控制半导体器件的电性能

韩国科学技术研究所（KIST）宣布，由光电材料和器件中心的Do Kyung Hwang和昆山国立大学物理系的Kimoon Lee领导的联合研究小组已成功实施基于2D半导体的电子和逻辑器件，通过开发一种新型超薄电极材料（Cl-SnSe2），可以自由控制其电性能。

联合研究小组能够使用Cl掺杂的2D电极材料——二硒化锡（Cl-SnSe2）选择性地控制半导体电子器件的电性能。

研究人员表示，很难用传统的2D半导体器件实现互补逻辑电路，因为由于费米能级钉扎现象，它们只表现出n型或p型器件的特性。

相反，如果使用联合研究小组开发的电极材料，则可以通过最小化半导体界面的缺陷来自由控制n型和p型器件的特性。换句话说，让单个器件同时执行n型和p型器件的功能。因此，不需要单独制造n型和p型器件。

通过使用这种器件，联合研究小组成功地实现了一种高性能、低功耗、互补的逻辑电路，可以执行不同的逻辑操作，如NOR和NAND。

Hwang表示，“这一发展将有助于加速下一代系统技术的商业化，如人工智能系统，由于传统硅半导体器件的微型化和高度集成带来的技术限制，这些技术很难在实际应用中使用。”

他还预计，“开发的2D电极材料非常薄；因此，它们具有很高的透光率和柔韧性。因此，它们可以用于下一代柔性和透明半导体器件。”

参考文献

'Fermi-Level Pinning-Free WSe2 Transistors via 2D Van der Waals Metal Contacts and Their Circuits' by Jisu Jang et al; Advanced Materials (2022)

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