Aixtron为先进研究提供沉积工具

博伊西州立大学将使用MOCVD系统沉积2D材料和新型GaN结构

Aixtron将向博伊西州立大学提供其用于 材料的紧密耦合喷淋头MOCVD产品系列的沉积系统。CCS 3x2是博伊西州立大学基础设施扩建项目的一部分。

 

Aixtron CCS 3x2具有3x2英寸晶圆容量。该系统的最高工作温度为1400℃，可在蓝宝石上沉积石墨烯和hBN，以及用于GaN基UV LED的新型结构。该系统配备多种金属有机源和气体通道，有助于该大学沉积最先进的2D材料。此外，该系统还包括Aixtron专有的ARGUS和EPISON在线计量技术，这些技术已被证明是2D材料均匀、可重复的晶圆级生长的关键促成因素。

 

在CCS 3x2的帮助下，博伊西州旨在利用2D-3D异质结构实现先进柔性混合电子器件的制造。目标是利用Aixtron系统研究并克服大规模合成2D材料并将其集成到完整半导体器件工艺流程中的挑战。

 

博伊西州立大学高级能源研究中心副主任、微米材料科学与工程学院副教授David Estrada说：“Aixtron系统是我们研究基础设施扩展的一个主要部分。Aixtron紧密耦合喷淋头MOCVD系统能够在晶圆级上生长原子薄半导体材料以及更传统的半导体薄膜。”

 

预计Aixtron CCS 3x2工具将是美国大学唯一一个专门用于晶圆级2D和氮化物基 生长的系统。它将为美国半导体行业的本科生和研究生培养未来的半导体人才。

 

博伊西州立大学研究团队与Aixtron密切合作，打算利用材料特性、人工智能算法和微加工技术来创造新技术，推动未来的应用。

 

“我们很高兴通过向博伊西州立大学提供一个工业级研发反应堆来加强与美国和学术界的联系。我们的CCS 3x2设备在多种应用中为晶圆级2D材料提供了一流的结果。它也是唯一一种可配置用于2D和GaN联合研究的系统技术，同时也有助于范德华（van-der-Waals）异质结构的生长，”Aixtron高级技术副总裁Michael Heuken解释道。

 

声明：本篇文章属于原创，拒绝转载，如果需要转载，请联系我们，联系电话：0755-25988571。