可打印 P 型钙钛矿晶体管

韩国团队改进了 p 型钙钛矿晶体管的性能，并将它们像文件一样打印出来

韩国的一个研究团队使用无机金属卤化物钙钛矿改进了 p 型半导体晶体管的性能。这项新技术的最大优势之一是，它可以使经过溶液处理的钙钛矿晶体管简单地打印成类似半导体的电路。他们在 《自然电子学》（Nature Electronics ）上发表了他们的研究结果。

钙钛矿型晶体管通过将具有空穴迁移率的 p 型半导体与 n 型半导体结合来控制电流。与迄今为止被积极研究的 n 型半导体相比，制造高性能 p 型半导体一直是一个挑战。

许多研究人员尝试在 p 型半导体中使用钙钛矿，因为它具有出色的导电性，但其较差的电性能和可重复性阻碍了其商业化。

为了克服这个问题，由 Yong-Young Noh 和博士生 Ao Liu 和 Huihui Zhu 领导的韩国 POSTECH（浦项工科大学）的研究人员，与Sungkyunkwan 大学的 Myung-Gil Kim 合作，使用改性无机金属卤化铯锡三碘化物（CsSnI₃）开发了p型钙钛矿半导体并在此基础上制造出了高性能晶体管。

这种晶体管具有超过50cm²V^-1s^-1的高空穴迁移率，超过10⁸的开/关电流比，是迄今为止开发的钙钛矿半导体晶体管中性能最高的。

通过将这种材料制成溶液，研究人员成功地像打印文件一样简单地打印了 p 型半导体晶体管。这种方法不仅方便而且成本低，这将导致钙钛矿器件在未来的商业化。

“新开发的半导体材料和晶体管可广泛用作高端显示器和可穿戴电子设备中的逻辑电路，还可以通过与硅半导体垂直堆叠，用于堆叠电子电路和光电器件，”Yong-Young Noh 教授解释了这项研究的意义。

这项研究得到了韩国国家研究基金会的职业中期研究者计划、创意材料发现计划、下一代智能型半导体开发计划和基础研究实验室计划以及三星显示器公司的支持。

参考资料

'High-performance inorganic metal halide perovskite transistors' by Ao Liu et al; Nature Electronics 17-Feb-2022