韩国团队打造透明柔性的2D内存

量子点和六边形 BN 三明治即使在弯曲时也能保持内存

在韩国科学技术研究院高级复合材料研究所，由 Dong-Ick Son 领导的研究小组宣布开发出一种基于异质低维超薄纳米结构的透明柔性存储器件。为此，形成了单层零维 (0D) 量子点，并将其夹在两个绝缘的二维六方氮化硼 (h-BN) 超薄纳米材料结构之间。

该研究团队通过将具有优异量子限制特性的零维量子点引入有源层，控制 2D 纳米材料中的载流子，制造了一种可能成为下一代存储器候选者的器件。基于此，零维量子点被塑造成垂直堆叠的复合结构，夹在二维六边形 h-BN 纳米材料之间，以生产透明且灵活的器件。因此，开发的器件即使在弯曲时也能保持 80% 以上的透明度和记忆功能。

上图为：（a-c）hBN转移到ITO/PET基板上（d）hBN/ITO/PET基板； (e) 使用旋涂技术形成量子点单层； (f-g) hBN 转移到 QD/hBN/ITO/PET 基板 (h) 通过使用热蒸发工艺在 hBN/QD/hBN/ITO/PET 上沉积 Au 电极； (i) 器件的照片。

Dong-Ick Son 表示：“通过在绝缘六方H-BN上提出量子点堆叠控制技术，我们为超薄纳米复合结构的研究奠定了基础，并显著揭示了下一代存储器件的制造和驱动原理。”他接着补充道：“我们计划在未来将用于异质低维纳米材料组合的堆栈控制技术系统化，并扩大其应用范围。”

参考资料：

'Memory effect of vertically stacked hBN/QDs/hBN structures based on quantum-dot monolayers sandwiched between hexagonal boron nitride layer' by Jaeho Shim et al: Composites Part B: Engineering, 2021

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