听泛林专家聊 和3D NAND

原创： 泛林集团 

作为全球领先的半导体制造设备及服务供应商，泛林集团的技术大咖们对于行业发展有着深刻见解和独到观点。今天，我们就以“ ”和“3D NAND”为关键词，听听他们是如何评价两者的应用前景及潜在挑战。

释义： 是一种由硅元素和碳元素形成的 材料，被用于电动汽车、电力供应、太阳能逆变器等高压场景下专用功率半导体器件的制造。

David Haynes

泛林集团客户支持事业部

战略营销高级总监

“在电动汽车和混合动力汽车领域，越来越多领先的制造商开始采用 技术。除此以外，智能电网基础设施的构建也成为 技术的另一个新兴应用领域。尤其是在中国市场，智能电网、汽车和高铁等领域的应用将对 器件产生巨大需求。”

图片来源：pixabay

“现在，我们面临的挑战是如何向200mm 晶圆制造过渡。与IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术相比，采用200mm 晶圆，不仅有可能降低芯片单价，还可能提高 整体解决方案的经济性。此外，采用200mm 晶圆还能帮助制造商解锁更先进的工艺工具，从而提高工艺水平以及与硅加工厂的兼容能力。”

“然而，无论是制造150mm还是200mm的 晶圆，与硅相比， 这类强粘接材料的加工都会带来一些挑战。尤其是在生产时，厂商需要对 晶圆的刻蚀进行精确轮廓控制，并同时兼顾晶圆的高产量和表面质量。这些正是实现从平面型 MOSFET到沟槽式 MOSFET架构过渡所需的关键要素。”

3D NAND

释义：3D NAND是一种具有高容量的闪存。在3D NAND中，存储单元在垂直方向，而非水平方向进行堆叠，以增加架构密度。

Timothy Yang

泛林集团软件应用工程师

“3D NAND闪存实现了新一代的非易失性固态存储，适用于几乎所有我们可以想像得到的电子设备。3D NAND能够实现超过2D NAND结构的数据密度，即便是在新一代技术节点上制造时也是如此。然而，目前提高3D NAND存储容量的方法可能会带来一些在存储器储存、结构稳定性和电气特性方面的不利影响。”

Steve Shih-Wei Wang

泛林集团高级化学气相沉积

工艺制程专家

“这一系列工艺步骤（多道字线光刻步骤）要求对字线触点进行精确的刻蚀侧面、修剪刻蚀均匀性和回拉CD控制。当在给定的单元密度下添加更多3D NAND层时，字线阶梯也需要加长并占用更多空间。例如，对于一个32层的NAND器件，字线阶梯会从单元阵列的边缘延伸20μm。而对于一个128层架构，字线阶梯则将延伸80μm。受制于这一线性缩放效应影响，当前的字线阶梯设计可能是影响这种3D NAND架构单元效率和扩展的主要障碍。”

Bart van Schravendijk

泛林集团电介质事业部首席技术官

“记忆孔刻蚀是3D NAND制造中最困难的一个步骤。在进行微米级刻蚀的同时，制造商需要极其精确地控制刻蚀的轮廓。随着刻蚀深度的增加，制造商需要添加中性粒子以钝化侧壁，并在底部注入离子以进行深入挖掘。此外，随着深宽比的增加，到达底部的离子和中性粒子的数量也会逐渐下降。”

“虽然我们通常的说法是96层堆叠，但工厂中实际沉积的层数是192层，因为每层堆叠都包括了一对氧化物和氮化物层，因此实际上，我们沉积了两倍的层数。而在沉积工艺中最关键的要素是沉积的均匀程度，尤其是需要严格把控氮化物层的均匀度，以实现TLC和QLC所需的窄阈值电压分布。”

看到这里，你是否觉得意犹未尽？今后我们还将网罗更多来自泛林大咖的观点，带你从全方位了解半导体行业发展。