TI 高压GaN FET在工业和电信应用中将功率密度提高了一倍

德州仪器新型即用型600V氮化镓场效应晶体管

功率级产品组合可支持高达10kW的应用

凭借2000万小时的器件可靠性测试，带集成驱动和保护功能的高压GaN FET在工业和电信应用中将功率密度提高了一倍

2018年10月29日，北京讯 - 德州仪器（TI）近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓（GaN），50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管（FET）相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。有关详细信息，请访问 http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R050-pr, http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R070-pr ?HQS=app-hvp-gan-ganfamily-pr-sa-20181030-cn ,,, 和 http://www.ti.com.cn/product/LMG3411R070-pr。

德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性，来实现简化设计，达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能，为传统级联和独立的GaN FET提供了智能替代解决方案。通过集成的<100ns电流限制和过温检测，器件可防止意外的直通事件并防止热失控，同时系统接口信号可实现自我监控功能。

LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和优势

·  更小、更有效的解决方案：与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，德州仪器的集成GaN功率级可将功率密度提高一倍，并将损耗降低80%。每个器件都具有快速的1MHz开关频率和高达100V/ns的压摆率。

·  系统可靠性：本产品组合接受了2000万小时的设备可靠性测试，包括加速和应用内硬开关测试。此外，每个器件均提供集成的散热和高速、100ns过流保护，以防止直通和短路情况。

·  每个功率级的设备：50mΩ或70mΩ条件下，本产品组合中的每个器件均提供一个GaN FET、驱动器并提供保护功能，可为低于100W至10kW的应用提供单芯片解决方案。

在德国慕尼黑电子展electronica访问德州仪器

 德州仪器（TI）将在德国慕尼黑电子展（2018年11月13日至16日）的C4展厅-131展位展示一个10kW的云网格链接演示。由德州仪器和西门子联合开发的有源演示采用德州仪器的LMG3410R050 600V GaN FET，具有集成驱动器和保护功能，与传统的硅设计相比，帮助工程师实现99%的效率，功率元件尺寸可减少30%。

封装和供货

这些器件均采用8mm×8mm分割垫、方形扁平无引脚（QFN）封装,现可从TI商店处购买。LMG3410R050, LMG3410R070和LMG3411R070的订购单位为1000件。

了解有关TI LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070产品的更多信息

·  阅读博文，“空间减半，功率加倍：氮化镓如何彻底改变机器人，可再生能源，电信等技术”，并可在 E2EChina 上探索更多的GaN帖子

·  使用LMG3410EVM-018、LMG3410-HB-EVM和LMG3411EVM-029评估模块快速开始设计。

·  下载这些应用注释：

o   “高密度电源设计中的过流保护”

o   “设计GaN功率级的热考虑因素”

·   查看德州仪器完整的GaN产品组合解决方案。

关于德州仪器(TI)

德州仪器(TI)是一家全球性半导体设计制造公司，始终致力于模拟集成电路（IC）及嵌入式处理器开发。TI拥有全球顶尖人才，锐意创新，塑造技术行业未来。今天，TI正携手超过10万家客户打造更美好未来。更多详情，敬请查阅www.TI.com。