HexaTech获美国能源部资金资助 研发氮化铝功率电子

近日，据悉HexaTech公司宣布已经获得美国能源部的220万美元资金资助，美国能源部所倡导的该高级研究计划署-能源（ARPA-E），将主攻利用氮化铝技术来提高高压电路中对电流的控制。

该资金将帮助实现用全新功率半导体技术应用到现代化电网当中去，甚至是智能电网（Smart Grid）。而HexaTech公司的氮化铝技术正是被美国能源部选用，作为未来重大技术变革的有利保障。

据透露，该公司通过自有的专利技术生长氮化铝晶体与晶圆，造价成本也不昂贵，完全可实现商业化的氮化铝功率器件，单晶氮化铝在其自行研发的炉子中生长（温度超越2000℃）。制程之后的晶棒将被加工成晶圆片，并进行抛光与测试。

HexaTech公司所生产的单晶氮化铝基材呈现出的是非常低的位错密度，另外还将研发更加奇特的掺杂方案，以及通过高铝含量来连接氮化铝/氮化铝镓。

该公司工程主管Baxter Moody对此谈到，得到美国能源部的资金支持标志了未来功率器件搭载氮化铝技术之后的飞跃，通过该技术我们能成功制造出20Kv的肖特基二极管（SBD， JBSD）与晶体管（JFET，MOSFET）。

对于电力系统与电网规模的电力转换应用，高效的氮化铝功率器件能实现体积、重量以及冷却上的优势性能。同一等级的半导体功率器件也没有涉及到该领域， 技术目前仍在开发，但成本太过昂贵，相比 技术，氮化铝在功率器器件上的应用性能将高出十倍之多。

介于宽禁带材质属性的氮化铝材料，其临界磁场比其他材料大出六倍之多，导通电阻也更低，因此应用到复杂功率器件上的实际尺寸也将更小，该技术将推动整个电力分配电网的技术革命。