台湾国立中央大学选用爱思强反应器开发硅基氮化镓电源设备

爱思强股份有限公司于今日（8月14日）宣布，现有客户台湾国立中央大学向其订购一套新的MOCVD系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头^® MOCVD系统，将用于在6英寸的硅基材上生长氮化镓外延结构，以进行电源管理设备的研发。

爱思强的当地服务团队已在台湾国立中央大学光电与微波元件实验室的先进洁净间中，对新反应器进行了安装及调试。

台湾国立中央大学电机学院院长綦振瀛教授表示：“市场对用于高效能、高功率系统的低成本氮化镓电源设备的需求与日俱增。为满足这一需求，我们计划将我们专门开发的半导体材料技术投入到产业之中，先进行初期试点，待条件成熟后进行大规模生产。为确保项目取得成功，我们需要最好的沉积设备，爱思强多晶片MOCVD系统成为了我们的首选。这一系统非常符合在大面积的硅质晶圆上生长氮化镓异质外延结构的需要，可以产出超低成本的高性能设备。此外，爱思强的支持服务素有极佳的口碑，令我们对此项重大的新项目更有信心。”

台湾国立中央大学以其研究和学术成就享誉全球。通过合作办学和研究项目、尖端研究和创新教育，国立中央大学将保持其在台湾和全球的一流大学地位。台湾国立中央大学拥有广泛的研究项目，包括复合系统、液晶、神经网络、声子和光子晶格、半导体、磁性薄膜和超导体材料等。