爱思强新推出AIX G5+

“硅基氮化镓技术是当今MOCVD 用户和制造商的热门话题。”爱思强市场部副总裁Rainer Beccard 博士表示，“它是很多新兴功率电子器件市场领域的首选技术，同时在未来低成本高性能的高亮度LED 产品制造方面拥有良好的前景。晶圆尺寸以及材料对于制造工艺的成本效益至关重要，因此过渡到200 mm 的标准硅晶圆，将以其独特的成本优势成为未来发展的合理趋势。”

AIX G5+: 所有5 个晶圆上实现完全旋转对称均匀模式

“爱思强坚信在200 mm 硅基氮化镓的工艺上，均匀性与良率是成功的关键因素，因此我们进行了一个专门的研发计划。”爱思强副总裁兼功率电子器件项目经理Frank Wischmeyer 博士补充说，“首先，我们经过了反复的数值模拟，从而设计出能够与现有的AIX G5 反应器平台兼容，而且足以胜任5x200 mm 工艺的独特工艺性能的新基本部件。”而最终实现的极其稳定的工艺流程提供了较其他任何MOCVD 平台更为均匀的材料特性以及更高的设备良率，同时也拥有5x200 mm 的晶圆生产能力。

来自客户的初步反馈，也印证了这一技术发展的巨大成功。很多客户特别指出，所有5x200 mm晶圆具有完全旋转对称的均匀形状、标准厚度的硅基衬底以及严格可控的晶圆弯曲度，均完全符合他们所需的硅质生产需要。Wischmeyer博士介绍说：“这样均匀一致的生产能力，一直以来都是爱思强行星式反应器 技术的独有优势，如今也可以成功应用到200 mm硅基氮化镓晶圆的生产上。”