RFMD提供面向 Agilent Technologies高级设计系统的设计套件

RFMD提供面向 Agilent Technologies高级设计系统的设计套件

RF Micro Devices, Inc.公司宣布，其晶圆代工服务业务部已更新了其工艺设计套件 (PDK)，以便与 Agilent Technologies 最近推出的高级设计系统 (ADS) 2011 EDA 软件一同使用。增强的 PDK 可立即提供给 RFMD 晶圆代工服务业务部当前及未来的 RFMD 氮化镓 (GaN) 和砷化镓 (GaAs) 工艺技术方面的客户。

凭借可裁剪的器件、本地设计规则检查器以及 ADS 2011 中的布局功能，RFMD PDK 支持全面的 ADS 前端到后端 MMIC 设计流程。这些 PDK 可与 ADS 2011、ADS 2009 更新 1 和 ADS 2008 更新 2 无缝地配合使用，从而使 RFMD 晶圆代工服务客户能够充分利用 ADS 2011 的重大性能优势。

在 RFMD 业界领先的周期时间支持下，晶圆代工服务客户可获得 RFMD 的 GaN 和 GaAs 工艺技术。RFMD 的晶圆代工产品包括 GaN1（可实现高功率的 GaN），这是一种可实现 65V CW 运行的 0.5 微米 衬底上氮化镓 (GaN-on-SiC) 工艺技术，其为了在 4 GHz 及更低频率实现最高性能而进行了优化。RFMD 的 GaN1 功率技术可提供超过 400V 的高击穿电压，而 RFMD 的 GaN2 是一种 0.5 的微米 衬底上氮化镓工艺技术，可为高性能通信系统提供高线性。这两种 GaN 技术均是在 RFMD 位于北卡罗来纳、格林斯博罗的代工厂中生产的，此代工厂是全球最大的 III-V 族半导体代工厂。

格林斯博罗的代工厂还生产 HBT8D —— 面向手机和混合信号应用的 RFMD 高量产耐用型 InGap 技术，以及 IPC3—— 补充具有高功率兼容性的 RFMD GaN 技术系列的集成无源组件技术。

其他 RFMD 晶圆代工产品包括低噪声 0.25 微米 GaAs pHEMT 技术 FD25，以及高功率 0.3 微米 GaAs pHEMT 技术 FD30，这两种技术均支持最高达 25 GHz 的应用。RFMD 的技术系列还包括 0.6 微米 GaAs pHEMT 技术 FET1H 和 0.6 微米 GaAs E/D pHEMT 技术 FET2D。RFMD 的每种 pHEMT 技术均是在该公司位于英国牛顿艾克利夫的代工厂生产的。

RFMD 晶圆代工服务业务部技术经理 Tom Joseph 博士说：“ADS 2011 版可使 RFMD 晶圆代工客户使用面向我们 GaN 和 GaAs 工艺技术的 Agilent 最新多技术平台。通过充分利用 Agilent 的新型库架构和模拟增强功能，RFMD 的晶圆代工客户可提高他们的设计效率，以及缩短他们终端市场产品的上市时间。”

Agilent EEsof EDA 组织的晶圆代工项目经理 Juergen Hartung 说：“我们非常高兴我们的共同客户现在能够在 RFMD 的 GaN 和 GaAs 技术中充分利用 ADS 2011 产品的增强功能。凭借这些 PDK，我们客户现在能够使用业界最全面的多技术设计平台，该平台采用业界领先的 3D 平面 EM 模拟器 Momentum、我们的集成全面 3D FEM 引擎、ADS 内的业经行业验证的可制造性设计功能，以及升级的设计规则检查器。在某种程度上，大多数 MMIC 设计人员选择 ADS 来提高性能、一致性和良品率也就是因为这些功能。”

有关 RFMD 晶圆代工服务的更多信息，请访问 www.rfmd.com/foundry，或者发送电子邮件至 RFMDFoundryServices@rfmd.com。