天岳先进官宣：液相法P型 衬底成功交付

近日，据天岳先进官微消息，天岳先进近日向客户成功交付高质量低阻P型 衬底。天岳先进表示，高质量低阻P型 衬底将加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。

source：天岳先进

据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型 单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年公布了全球首个8英寸 晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型 衬底。据悉，液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的 晶体。天岳先进目前在液相法领域获得了低贯穿位错和零层错的 晶体。其通过液相法制备的P型4度偏角 衬底，电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好。市占率方面，天岳先进N型产品市占率全球第二，高纯半绝缘型 衬底产品全球市占率排名第三。2023年，天岳先进与英飞凌、博世等签署了长期合作协议。目前，天岳先进的车规级产品已实现6英寸和8英寸 导电型衬底产品批量销售。高纯半绝缘 衬底产品，为高频高输出的射频器件提供材料品质基础，适用于5G基站射频器件、卫星通信等应用。

 

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