英飞凌推出全新 135 V 和 150 V 产品系列，扩展其 OptiMOS 6 MOSFET 产

新型 OptiMOS™ 6 135 V 和 150 V MOSFET 可提高驱动器和 SMPS 应用的效率。

英飞凌科技股份有限公司推出全新 135 V 和 150 V 产品系列，升级的了其 OptiMOS™ 6 MOSFET 产品组合。这些器件的设计符合驱动和开关电源 (SMPS) 应用的规格，是对之前推出的 OptiMOS 6 120 V MOSFET 的补充。英飞凌扩展的产品组合为客户提供了多种选择，以便为不同应用选择最合适的 MOSFET。降低开关损耗可增强服务器开关电源、太阳能优化器、高功率 USB 充电器和电信等应用。升级的传导损耗对于电动叉车和轻型电动汽车（LEV）中的电机逆变器具有明显优势。

与上一代 (OptiMOS 5 150 V MOSFET) 相比，新产品系列的导通电阻 RDS(on) 降低了 50%，同时 FOMg 降低了 20%。这两个新系列均具有出色的效率、功率密度和可靠性，其特点是 RDS(on) 降低、开关性能增强和 EMI 特性出色。加速且更柔韧的体二极管可将 Qrr 降低高达 59%，同时过冲和振铃也更少。

OptiMOS 6 135 V 和 150 V MOSFET 提供多种封装，为客户提供各种选择，可实现最佳产品选择。封装组合包括 TO-220、D2PAK 3 引脚、D2PAK 7 引脚、TOLL、TOLG、TOLT、SuperSO8 5×6 和 PQFN 3.3×3.3。

额定电压为 135 V 和 150 V 的 OptiMOS 6 MOSFET 现已开放订购。