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信越化学突破GaN大型基板难题！

材料来源：网络

近日，日本信越化学工业开发出了用于制造氮化镓（GaN）半导体的大型基板。面积与硅基板同等，客户的生产效率可提高到2倍以上。“6G”和数据中心使用的新一代半导体将能够以低成本生产，并加快普及速度。

此次成功实现大型化的是用于制造氮化镓的基板。据悉这种基板可用于6G通信半导体以及数据中心使用的功率半导体等。如果使用氮化镓，就可以在高频段实现稳定通信，以及进行大功率控制，但一直很难生产出高品质的大型基板，这成为普及的障碍。

信越化学拥有以“QST基板”（使用氮化铝等材料的自主基板）为基础，来制备氮化镓结晶的技术。与硅基板相比，可以制作出更薄、品质更高的氮化镓结晶。成功开发出了口径为300毫米的QST基板，面积是此前产品的约2.3倍。与传统半导体常用的硅基板面积相同。

目前已开始提供样品，将投入超过10亿日元资金，最早在几年内实现量产。首先，被认为可能会面向通信用途和数据中心用途。将来还会提升品质，使其应用于纯电动汽车（EV）等用途。

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