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总投资约300亿元，三安意法半导体项目已进入收尾阶段

材料来源：重庆新闻联播

据重庆新闻联播报道，近日，三安意法半导体项目已进入收尾阶段，衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。

据悉，该项目总投资约300亿元，将建设一个技术先进的8英寸衬底和晶圆工厂，全面整合了8吋车规级的衬底、外延、芯片的研发制造，以及为其提供衬底的材料供应商。项目达产后将建成全国首条8吋衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。

此前消息显示，该项目包括一家车规级功率芯片制造企业，以及为其提供衬底的材料供应商。其中，车规级功率芯片制造企业，由国内龙头企业三安光电和国际半导体巨头意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元，达产后，每年能生产48万片8吋车规级MOSFET功率芯片，主要应用在新能源汽车主驱逆变、充电桩和车载充电器上。

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