飞兆半导体推出650V场截止IGBT

飞兆半导体650V场截止IGBT

提高功率转换应用的效率和系统可靠性

新产品能够应对设计人员的高效、有效功率转换挑战

太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效，满足散热法规，同时减少元件数目的挑战。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品，帮助设计人员应对这一行业挑战。要了解更多的信息及索取样品，请访问公司网页：

http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html

飞兆半导体公司的场截止IGBT技术能够让设计人员开发出具有更高输入电压的高可靠系统设计，同时提供具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大电流处理能力、正温度系数、严格的参数分布，以及较宽的安全工作区等特点。

更高的击穿电压改善了寒冷环境温度下的可靠性，随着温度的降低，IGBT和FRD阻断电压亦会下降，因而650V IGBT特别适合较冷气候之下工作的太阳能光伏逆变器。仔细选择IGBT和续流二极管是获得最高效率的必要条件，650V IGBT提供了快速和软恢复特性，能够降低功率耗散，并减小开启和关断损耗。

特性和优势

·        具有更高的阻断电压能力，无需牺牲性能

·        具有正温度系数，易于并联工作，可实现不发热的嵌板应用，防止系统过载

·        大电流容量，实现大功率DC/AC转换

·        最高结温：T_J=175^oC

·        低饱和压降：I_c=40A / 60A额定电流下，V_CE(sat)= 1.9V(典型值)

·        高开关速度，可让系统保持高效率

·        低导通损耗和开关损耗

·        宽安全工作区  – 允许更高的功率耗散

·        严格的参数分布

·        满足RoHS要求