5N Plus将其GaN-on-Si专利商业化

5N Plus Inc (5N+)总部位于加拿大魁北克蒙特利尔，是一家特种半导体和高性能材料生产商，该公司正式发起其硅基氮化镓（GaN-on-Si）专利组合的商业化权利，并表示，这些专利能够帮助大功率电子（HPE）、电动汽车（EV）、人工智能（AI）服务器等领域的公司快速开发新型垂直GaN-on-Si功率器件的原型，并对其进行率先面市商业化。

使垂直GaN-on-Si器件成为可能的关键专利

GaN是一种机械稳定的宽带隙半导体材料，具有很高的热容量和热导率。目前，横向GaN主要用于充电器等低电压（<400V）应用，但新型垂直GaN-on-Si有望取代 （SiC），后者是目前中高压应用（即工作电压为650V的电动汽车逆变器）的首选材料。SiC价格昂贵且不易获得，而GaN-on-Si则更高效、更具成本效益。近期利用5N+关键专利进行的学术论证表明，与显示出破坏性击穿的横向GaN晶体管不同，垂直GaN-on-Si晶体管具有雪崩软击穿能力，使安全、紧凑、更高效的器件成为可能。

公司总裁兼首席执行官Gervais Jacques表示：“近期的学术论证表明，我们的54项专利比目前的替代产品性能更高、效率更高。因此，我们的专利组合具有得天独厚的优势，能够帮助行业领先的大功率电子及电动汽车公司快速开发垂直GaN-on-Si功率器件，并对其进行率先面市商业化，从而彻底改变高压半导体应用。”

5N+ GaN-on-Si专利组合

5N+拥有54项已授权专利的商业权利，其中包括强制使用大直径厚硅衬底（超过1mm），并结合掩蔽层以过滤位错。在垂直GaN-on-Si器件中，增加大直径硅衬底的厚度，可以在不扩大芯片尺寸的情况下提高电压容量。这项专利还包括完成GaN生长后移除衬底从而形成背面接触的能力。此外，该公司还持有用于射频（RF）应用的横向GaN-on-Si专利，而射频应用将使下一代5G及6G无线通信元件成为可能。5N+通过其多结太阳能电池子公司AZUR SPACE Solar Power GmbH持有这些专利。