Cambridge GaN出席APEC 2024

公司就ICeGaN如何应对人工智能的数据中心挑战发表论文

Cambridge GaN Devices（CGD）出席了近期的APEC 2024（IEEE应用功率电子会议暨展览会），并发表多篇论文，包括分析随着人工智能应用的激增，GaN如何在支持数据中心所需的指数级功率增长中发挥作用。

首席执行官Giorgia Longobardi表示：“目前，数据中心要求每个机架的功率达到100 kW，而且据预计，不久的将来功率还会提高，因此功率系统设计人员希望在新架构中采用GaN器件。CGD正在用新的器件和参考设计来应对这一挑战，我们在APEC会议上讨论了这些新的器件和参考设计，以及许多其他应用，其中GaN可以发挥巨大作用，实现效率更高、性能更高、更紧凑的可持续电子解决方案。”

CGD在APEC会议上发表了三篇论文：2月27日周二15:00-15:30，由CGD首席客户官Andrea Bricconi和业务发展副总裁（美洲）Peter Di Maso发表“ICeGaN技术如何应对数字化带来的数据中心挑战”；2月28日周三9:10-9:30，由CGD应用工程师Nirmana Perera发表“评估GaN HEMT dv/dt抗扰度和dv/dt诱导误导通能量损耗”；2月29日周四09:45-10:10，由CGD业务发展与技术营销总监Di Chen发表“单片集成可解决GaN功率器件的设计挑战”。

CGD在其展位展示650 V GaN HEMT系列的一系列演示产品。ICeGaN H2单芯片eMode HEMT可以像MOSFET一样驱动，无需特殊的栅极驱动器、复杂的有损驱动电路、负压电源要求或额外的箝位元件。

针对服务器和工业应用对功率要求的提高，CGD展示了采用ICeGaN（650 V、55 mΩ、H2系列）的350 W PFC/LLC参考设计。无桥CrM图腾柱PFC加半桥LLC设计的电路板功率密度为23 W/in³，峰值效率为95%（平均93%），空载功耗为150 mW。

CGD首席客户官Andrea Bricconi表示：“GaN现已被公认为是一种可靠成熟的技术，能够同时实现高效率和高功率密度。数据中心对功率的需求永无止境，这显然是GaN的一个应用领域，但在许多其他应用领域，如消费应用、工业应用、汽车应用，GaN也能展现出成为颠覆性技术的能力。CGD已推出业界最易于使用的GaN技术ICeGaN，我们非常希望在APEC会议上与听众分享我们的想法。”