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EPC宣布推出具有1mΩ导通电阻的微型GaN FET

材料来源：POWER ELECTRONICS WORLD

紧凑型QFN封装器件为DC-DC转换、快速充电和电机驱动提供更高的功率密度

EPC推出了100V、1mOhm EPC2361。据称，这是市场上导通电阻最低的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，功率密度提高了一倍。EPC2361具有典型 RDS（on）为1mOh，采用耐热性能增强型QFN封装，顶部裸露，尺寸仅为3mm x 5mm。EPC2361的最大RDS（on）x面积为15mΩ*mm² – 根据EPC的数据，比同类100V硅MOSFET小五倍以上。

凭借其超低导通电阻，EPC2361可在功率转换系统中实现更高的功率密度和效率，从而降低能耗和散热。这一突破对于大功率PSU AC-DC同步整流、数据中心的高频DC-DC转换、电动汽车的电机驱动器、机器人、无人机和太阳能MPPT等应用尤为重要。

EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“我们新的1mΩ GaN FET继续突破GaN技术的极限，使我们的客户能够创建更高效、更紧凑、更可靠的电力电子系统。”

EPC还生产了EPC90156开发板，这是一款50.8mm x 50.8mm半桥，采用EPC2361氮化镓场效应管。

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