瑞萨收购Transphorm

收购将为瑞萨提供内部GaN技术

上图：Transphorm首席执行官Primit Parikh及瑞萨首席执行官Hidetoshi Shibata

瑞萨将以约3.39亿美元的价格收购GaN专业公司Transphorm。此次收购将为瑞萨提供内部GaN技术，扩大其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源转换、快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

近期，瑞萨宣布建立一条内部SiC生产线，并签订了为期10年的SiC晶圆供应协议。Transphorm加入瑞萨，可利用其在GaN方面的技术和专业知识，扩大瑞萨的宽禁带产品组合。

根据一项行业研究，GaN的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨表示，将采用Transphorm的车规级GaN技术，开发新的增强型电源解决方案产品，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业、消费等应用的解决方案。

瑞萨首席执行官Hidetoshi Shibata表示：“Transphorm由经验丰富的团队所领导，该团队扎根于GaN电源领域，起源于加州大学圣巴巴拉分校。纳入Transphorm的GaN技术，可增强我们在IGBT和SiC领域的发展势头。此举将推动并扩大我们的电源产品组合，使其成为我们的关键增长支柱，使我们的客户完全能够选择最佳电源解决方案。”

Transphorm联合创始人、总裁兼首席执行官Primit Parikh以及Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishish表示：“结合瑞萨的全球业务、解决方案产品的广度、客户关系，我们很高兴能为整个行业采用宽禁带材料铺平道路，为其显著发展奠定基础。此次交易还将使我们为客户提供进一步的扩展服务，并为我们的股东带来可观的即时现金价值。此外，还将为我们杰出的团队提供一个强大的平台，进一步推动Transphorm发展领先的GaN技术和产品。”

该交易预计将于2024年下半年完成，但需获得Transphorm股东的批准、必要监管部门的许可，并满足其他成交条件。

 

【近期会议】

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