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SemiQ推出半桥封装QSiC功率模块

材料来源：雅时

SemiQ推出全新系列半桥封装1200V SiC功率MOSFET，拓展了QSiC功率模块产品组合

这类全新紧凑型高性能模块经过精心设计和测试，能在各种苛刻环境中可靠运行，在实现高功率密度的同时，可最大限度降低动态损耗和静态损耗。新型QSiC模块击穿电压较高（>1400V），支持高温工作（Tj=175°C），全温范围内Rds(On)偏移较低。此外，据称这类模块的栅极氧化物稳定性为业界领先，栅极氧化物寿命较长，雪崩式无钳位电感开关（UIS）较为坚固，且短路耐受时间更长。

新型SiC模块以高性能陶瓷为坚实基础，适用于电动汽车充电、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动压缩机、燃料电池转换器、医疗电源、光伏逆变器、储能系统、太阳能和风能系统、数据中心电源、UPS/PFC电路、Vienna整流器和其他汽车及工业应用。

为了确保每个模块都具有稳定的栅极阈值电压和高质量的栅极氧化物，SemiQ采用了晶圆级栅极老化测试。除了有助于稳定外在失效率的老化测试外，栅极应力、高温反向偏置（HTRB）漏极应力及高湿度、高电压、高温（H3TRB）等应力测试也有助于模块达到所需的汽车和工业级质量水平。此类器件还具有更高的短路额定值。所有模块均进行了1350V以上的测试。

SemiQ总裁Timothy Han表示：“SemiQ正因对可靠性和测试做出承诺，才得以在半导体行业脱颖而出。经证实，我们的高性能QSiC 1200 V MOSFET模块能够经受住挑战性条件的考验，使工程师能够为可再生能源、汽车、医疗、工业等领域开发可靠的系统。

SemiQ的新型SiC MOSFET分别为1200V 5 mΩ、1200V 10 mΩ、1200V 20 mΩ，均采用行业标准半桥封装。产品型号如上表所示。

【近期会议】

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