BelGaN开始提供第二代650V eGaN样品，展示1200V eHEMT硅基氮化镓技术

继4个月前，欧洲领先的GaN车规半导体代工厂BelGaN将其第一代650V eGaN技术投入生产。目前，BelGaN开始引导客户对其第二代650V eGaN工艺技术进行Beta采样。

第二代工艺技术建立在第一代工艺技术的基础上，改进了静态和动态性能参数（Rsp和Ron*Qg），GaN芯片尺寸缩小了25%以上，同时还提高了能量转换效率。Beta样品附带全套文档，包括数据表和PDK。此外，为了支持客户设计高性能和高质量的产品并加快上市时间，Beta版本附带了一个参考器件库，Ron范围在50-1000mΩ之间，可作为裸片进行采样，采用DFN 8x8和5x7封装。

BelGaN CEO周贞宏博士表示：“随着移动消费者的快速充电器从硅MOSFET快速转换到GaN功率器件（从150W降至25W适配器），GaN市场正在以前所未有的速度加速发展。我们已经与全球30多个GaN客户达成合作。随着GaN产量的增加，客户也在寻求降低成本，而我们的Gen-2技术可使芯片尺寸减少25%，正符合他们的期望，此外，客户告诉我们，他们需要1200V GaN车规级器件，有望在未来电动汽车和工业应用中取代SiC和IGBT”。

作为其前瞻性创新计划的一部分，BelGaN开发并展示了1200V eHEMT硅基氮化镓技术（Alpha版本）。BelGaN的1200V eHEMT技术建立在采用MOCVD制造的工程厚6英寸硅基氮化镓衬底上，可实现>1600V的硬击穿电压和4mΩ.cm² 的低Rsp，并已通过初始可靠性测试。

BelGaN首席技术官兼业务开发副总裁Marnix Tack博士评论道：“1200V是即将推出的GaN技术节点，受到电动汽车电池电压不断提高 (400V -> 800V) 的推动。虽然垂直型GaN架构带来能够处理高功率并旨在与SiC MOSFET竞争的650V-1200V技术，但我们的横向型1200V模式HEMT硅基氮化镓技术允许我们在1MHz以上的极高频率下从低功率切换到中功率（提高功率密度并降低系统BOM成本）并实现附加功能（GaN IC）的单片集成。”

BelGaN正在为不断发展创新的产业链“GaN Valley”奠定基础，该产业链适用于欧洲及其他地区的电动汽车、手机、工业、数据中心和可再生能源市场中的GaN基芯片和电力电子产品。符合欧洲的芯片更大自主权（欧洲芯片法案）和碳中和社会（绿色协议）的目标。

BelGaN成立仅几个月，GaN Valley产业链就已拥有欧洲GaN行业价值链上超过55家成员公司和机构。