英特尔的“DrGaN”技术将在今年的国际电子器件会议上亮相

IEEE会议将于旧金山举行，届时将有四场会议，讨论功率器件、宽带隙器件、高频器件、低温器件等方面的进展

12月9日至13日，第69届年度IEEE国际电子器件会议（IEDM）将于旧金山举行，今年将有四场会议，讨论功率器件、宽带隙器件、高频器件、低温器件方面的进展。

12月11日星期一，会议将正式拉开帷幕，首先是“GaN功率器件集成”会议，会上英特尔将通过一篇论文展示其首款CMOS“DrGaN”技术，这项技术采用300 mm GaN-on-Si工艺制成，包含带有三维单片集成硅PMOS的增强型GaN MOSHEMT。

12月12日，“电力电子宽带隙材料及器件的最新进展”会议将发表六篇论文，分别介绍Ga₂O₃器件、金刚石p-MOSFET、SiC沟槽蚀刻双植入(TED) IGBT、AlSiO/p-GaN MOSFET的最新研究成果，演讲者来自北京大学、丰田公司、名古屋大学、日立公司、弗吉尼亚理工大学、早稻田大学。

12月13日星期三，将举行“高频器件和低温射频器件”会议，内容包括IBM的研究，即在低温条件下优化InGaAS HEMT的欧姆接触电阻，以及苏黎世联邦理工学院对InP/GaAsSb DHBT的太赫兹特性分析，结果表明，在50K条件下fmax为1.46 THz。本场会议的其他演讲者来自上海微系统与信息技术研究所、法国原子能委员会电子与信息技术实验室、韩国科学技术院。

最后一场会议也于12月13日举行，主题为“功率应用和射频应用中的宽带隙器件”，其中包含西安电子科技大学的一篇论文，该论文讨论了SiC衬底上的b-Ga₂O₃射频MOSFET，其功率附加效率为30%，ft/fmax为27.6/57 GHz。此外，IMEC、法国原子能委员会电子与信息技术实验室、斯坦福大学的相关人员也将发表演讲。会议的最后，苏黎世联邦理工学院将应邀发表一篇论文，介绍一种基于射频电场微观操控的新型元器件概念，这一概念可应用于未来的电信技术。