Power Integrations推出1250V的GaN开关IC

Power Integrations Inc是一家位于美国加利福尼亚州圣何塞市的公司，为高能效功率转换供应高压集成电路，该公司推出据称为世界上电压最高的单开关氮化镓（GaN）电源IC，该IC具有1250V的PowiGaN开关。

Power Integrations的InnoSwitch系列包括离线CV/CC QR反激式开关IC，InnoSwitch3-EP 1250V IC是这一系列的最新成员，具有同步整流和FluxLink安全隔离反馈功能，还有一系列开关可供选择：725V硅开关、1700V 开关以及750V、900V、到现在1250V的PowiGaN开关。

对于Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术，其开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一。这使其功率转换效率高达93%，进而实现高度紧凑的反激式电源，该电源无需散热器即可提供高达85W的功率。

Power Integrations技术副总裁Radu Barsan表示：“Power Integrations不断将高压GaN技术的开发和商业应用推进至最高水平，期间甚至将最好的高压硅MOSFET也淘汰出局。我们于2019年即率先向市场大批量出货基于GaN的电源IC，今年年初，还推出了基于GaN的900V InnoSwitch新品。”他补充说：“我们一直在开发电压更高的GaN技术，本次推出的新型1250V器件就说明了这一点，此器件将GaN的效率优势扩展至更广泛的应用领域，包括目前使用 技术的许多应用领域。”

设计人员使用新型InnoSwitch3-EP 1250V IC时，可以明确其峰值工作电压为1000V，使其在1250V的绝对最大值下，可以实现80%的行业标准降额。这为工业应用提供了巨大的余量，在极具挑战的电网环境中尤为重要，因为在这种环境下，稳健性是一种重要的防御手段，可抵御电网波动、浪涌、其他电力扰动。

样品现已开始供货；1250V InnoSwitch3-EP IC的批量出货周期为16周。订货量达一万件时，采用INSOP-24D封装的InnoSwitch3-EP 1250V器件每件3美元。还推出了一份参考设计DER-1025，其中介绍了12V、6A反激式转换器的参考设计，有需要者可免费下载。