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Soitec为生产SmartSiC晶圆的新工厂举行落成仪式
材料来源：ACT
在欧洲内部市场委员Thierry Breton和法国工业部部长代表Roland Lescure的见证下，设计衬底制造商Soitec在法国格勒诺布尔附近的Bernin为其新工厂举行了落成仪式，工厂占地2500平方米，最终可年产50万片SmartSiC晶圆。
Soitec表示，其以
（SiC）为基础，为应对汽车电气化所带来的挑战而开发出SmartSiC专利技术。据估计，使用硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电动汽车平均续航里程为350公里，相比之下，SmartSiC使电动汽车的续航里程达到500公里以上。此外，该公司补充道，每片SiC衬底可使用10次，因此与生产单晶SiC衬底相比，SmartCut可减少生产晶圆时70%的二氧化碳排放量。
2020年，Soitec开始与CEA-Leti合作开发这项技术，并得到了法国政府、大区、地方政府、欧盟的资金支持。新工厂将直接创造400个就业岗位，同时还将为‘法国硅谷’生态系统添砖加瓦。
Soitec首席执行官Pierre Barnabé说：“目前，我们越发愿意将SmartSiC技术建立为下一代电动汽车半导体材料的新标准。”并补充说：“此工厂将使我们满足日益增长的
需求，使我们2030年占据30%的市场份额，同时有助于提高电动汽车的效率，降低电动汽车的价格。该工厂的竣工时间创下纪录，体现了我们的工业实绩和面向未来的战略，其基础是扩展我们的产品组合和技术组合。”
Pierre Barnabé继续说道：“对我们所处领域来说，这也是一个重要的日子，再次展示了其充满活力和堪称典范的工业创新方法，其技术都是在我们的生态系统中设计、开发、制造的。我们将创造就业机会，并继续在全球半导体市场展示法国和欧洲的专有技术。”
新工厂将有助于Soitec的可持续发展战略，即2030年将潜在市场规模扩大三倍。
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