这一成就表明AlN在UVC LED以外的新行业中具有商业可行性
旭化成(Asahi Kasei)旗下的Crystal IS宣布,已成功生产出直径4英寸(100 mm)的单晶氮化铝(AlN)衬底。
据该公司称,这是首次产出4英寸AlN衬底,证明Crystal IS生长AlN块状单晶的工艺具有可扩展性,可满足生产需求。
AlN衬底缺陷密度低、紫外线透明度高、杂质浓度低。AlN具有超宽带隙和较高热导率,因此对多个行业都有吸引力,如UVC LED和功率器件。根据目前UVC LED 的要求,Crystal IS生产的4英寸衬底可用面积超过80%。
旭化成先进科学与技术研究实验室的执行研究员Naohiro Kuze表示:“我们非常高兴地宣布,我们已生产出4英寸块状AlN衬底。这一成就表明AlN在UVC LED以外的新行业中具有商业可行性。”
Crystal IS成立于1997年,旨在开发原生AlN衬底,其商业工艺可用于生产直径2英寸的衬底,利用这一工艺可制造UVC LED。UVC LED非常适合生产波长为260 nm至270 nm的杀菌灯。在现有2英寸生产线的基础上,针对使用UVC LED的消费器件,工厂目前的产能可满足其批量需求。
Crystal IS总裁兼首席执行官Eoin Connolly说:“这表明了我们的工艺具有可扩展性,可在AlN上生产高质量器件。我们为团队的成就,及其对整个半导体行业的影响而感到自豪。”
目前,Crystal IS每年生产数千个2英寸衬底,以支持其Klaran和Optan产品线的生产。本次4英寸AlN衬底的商业化,将使Green Island工厂的现有器件产量翻两番。还使在AlN衬底上开发新应用成为可能,因为4英寸AlN衬底将融入现有制造生产线,其中现有制造生产线用于生产使用替代材料的功率器件和射频器件。
8月,第23届美国晶体生长和外延会议在亚利桑那州图森举行,会上Crystal IS会介绍其4英寸衬底的进展情况。
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