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东芝推出新型40V n-沟道MOSFET

材料来源：雅时

新芯片可改善散热并缩小车载设备尺寸

东芝推出了两款车载40V N-沟道功率MOSFET，分别是XPJR6604PB和XPJ1R004PB，这两款器件采用了东芝新型S-TOGL（小型晶体管翼形引线）封装和U-MOS IX-H工艺芯片。

自动驾驶系统等安全关键应用通过冗余设计来确保可靠性，导致与标准系统相比，其集成的器件数量更多，所需贴装空间更大。因此，随着车载设备尺寸不断缩小，需要在高电流密度下贴装功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用了东芝新型S-TOGL封装（7.0mm×8.44mm），S-TOGL封装利用无柱结构，使源极连接件和外引线一体化。源极引线的多引脚结构降低了封装电阻。

通过将S-TOGL封装与东芝U-MOS IX-H工艺结合，使得与东芝TO-220SM (W)封装产品相比，导通电阻大幅下降了11%，而热阻特性保持不变。

与TO-220SM(W)封装相比，新封装所需贴装面积减少了55%左右。除此之外，新封装的漏极额定电流为200A，高于尺寸相似的DPAK +封装 (6.5mm×9.5mm)，使新封装中电流较大。总之，S-TOGL封装实现了高密度和紧凑布局，缩小了车载设备的尺寸，有助于实现高散热。

由于车载设备在极端温度环境下使用，因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGL封装采用翼形引线，可降低贴装应力，提高焊点的可靠性。

假如需要将多个器件并联，为运行应用提供较大电流，东芝可支持新产品分组出货，即按栅极阈值电压进行分组。因此，可使用特性变化较小的产品组进行设计。

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