TI 进一步壮大GaN FET 驱动器 IC 产品阵营

德州仪器栅极驱动器进一步壮大GaN FET 驱动器 IC 产品阵营

高灵活低侧栅极驱动器带来高效率与高电源密度

2012 年 2 月10日，北京讯

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 GaN FET 与 MOSFET。该系列加上 2011 年推出的业界首款 100 V 半桥 GaN FET 驱动器 LM5113，可为高性能电信、网络以及数据中心应用中使用的大功率 GaN FET 与 MOSFET 提供完整的隔离式 DC/DC 转换驱动器解决方案。如欲了解详情或订购样片与评估板，敬请访问：www.ti.com/gan-pr。

LM5114 可通过 5 V 电源电压的独立源极与汲极输出（sink and source output）驱动标准 MOSFET 与 GaN FET。它具有使用较大或并行 FET 的大功率应用中所需的 7.6 A 高峰值关断电流功能。此外，提高的下拉强度还有助于该器件驱动 GaN FET。独立源极与汲极输出可取消驱动器路径中的二极管，准确控制升降时间。

LM5114 低侧栅极驱动器的主要特性与优势：

·        可优化升降时间的独立源极与汲极输出支持更高的效率；

·        +4 V 至 +12.6 V 单电源支持各种应用；

·        0.23 欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通；

·        7.6 A/1.3 A 峰值汲极／源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(DV/DT)的影响；

·        匹配反相及非反相输入之间的延迟时间，可降低停滞时间损耗；

·        12 ns 典型传播延迟可在提高效率的同时，支持高开关频率；

·        高达 14 V 的逻辑输入（不受 VCC 影响）；

·        -40 摄氏度至 +125 摄氏度的宽泛工作温度。