罗姆最新的SiC芯片亮相PCIM欧洲展

在德国纽伦堡举行的欧洲PCIM展会（5月9日至11日）上，罗姆半导体将展示其新型功率半导体，包括用于电动汽车及其他领域的高性能解决方案。

罗姆的产品亮点包括第四代SiC MOSFET、两个新型SiC功率模块、符合 AEC-Q100 标准的栅极驱动器和智能低边功率器件、内置 1700V SiC-MOSFET准谐振 AC/DC 转换器，以及用于工业辅助电源和 SMPS 应用的 730V 集成反激式转换器。

罗姆最新的第四代SiC MOSFET工艺支持15V和18V栅源电压，据该公司称，该工艺有助于在汽车逆变器和各种开关电源等各种应用中实现显著的小型化和低功耗。该公司的两个新型SiC功率模块采用第四代SiC MOSFET 750V和1200V器件，具有不同的RDS_on变化。根据其条件，两者都能实现高达30kW的功率应用。

罗姆将展示针对工业和通信设备电源电路优化的150V GaN HEMT（GNE10xxTB系列），采用业界最高（8V）栅极击穿电压技术。

罗姆将参加PCIM欧洲会议的小组讨论、会议演示和海报。

苏州会议

雅时国际(ACT International)将于2023年5月23-24日,在苏州组织举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：半导体制造与封装、 先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“ 先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。详情点击链接查看：https://w.lwc.cn/s/nAjqi2