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CGD在APEC 2023上展示电力电子的可持续未来
材料来源：CGD
Cambridge GaN Devices（CGD）是一家无晶圆厂的清洁技术半导体公司，开发一系列基于GaN的高能效功率器件，以实现更环保的电子产品。该公司将展示使用经过验证的参考设计和评估委员会以及新的和已建立的GaN生态系统合作伙伴关系的演示。
CGD首席执行官giorgia longobardi表示：“电力电子界和更广泛的世界现在都在接受氮化镓技术可以在实现更高效、高性能和更紧凑的可持续电子解决方案方面发挥巨大作用。在APEC等重要国际活动上，我们有机会向来自多个不同行业的观众解释和展示我们的技术和市场。”
CGD将在APEC上发表四篇论文：
“GaN动态Rds（ON）概述和量化0V GOFF在实际应用中的性能优势”，与CGD应用工程总监Peter Comiskey合作。
“与GaN一起实现碳目标”，CGD首席执行官Giorgia Longobardi
“ICeGaN™ 650V Power GaN IC将高功率应用的效率、鲁棒性和可靠性提升到一个新的水平”，CGD首席执行官Giorgia Longobardi。
“具有卓越栅极过电压鲁棒性的GaN HEMT”弗吉尼亚理工大学和CGD创新与研究总监Daniel Popa。
在展位上，CGD展示了业界首个易于使用且可扩展的650 V GaN HEMT系列。集成电路GaN™ H1单芯片eMode HEMT可以像MOSFET一样被驱动，而不需要特殊的栅极驱动器、复杂且有损的驱动电路、负电压供应要求或额外的箝位元件。这些展示包括半桥、350W LLC、350W PFC、65W QRF和3kW LLC评估电路，以及与Neways合作使用GaN开发的3kV光伏太阳能逆变器的热演示和示例。
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