集成的GaNFast技术可实现超快的充电速度、效率和便携性
Navitas Semiconductor已确认其GaNFast技术为新发布的OnePlus 11 5G旗舰智能手机快速充电。旗舰OnePlus 11 5G采用高通骁龙8 Gen 2芯片组,将现代设计与第三代移动Hasselblad相机支持的成像技术相结合。
OnePlus 11 5G附带的100 W SUPERVOOC充电器围绕NV6134 GaNFast IC构建,集成了GaN电源和驱动,以及高频准谐振(HFQR)拓扑中的控制、保护和传感。与传统的硅解决方案相比,使充电速度提高了三倍,节能40%,体积和重量仅为一半。因此,55 x 55 x 28 mm(85 cc)的小型充电器重量仅为112 g,功率密度达到1.18 W/cc。将手机的5,000 mAh电池从1-50%充电只需10分钟,大约25分钟即可充满1-100%。
在2月7日于新德里举行的OnePlus 11 5G正式发布活动中,Navitas与谷歌、Snapdragon、Hasselblad和Dolby一起成为了主要合作伙伴。Navitas与OnePlus密切合作,推出了一系列GaNFast充电器投入批量生产,并在现场活动中合作,如在纳斯达克和CES2023上推广OnePlus 10T和10R型号。
OnePlus首席运营官兼研发总监Kinder Liu先生表示:“我们将继续突破界限,为用户提供极致的快速充电体验。我们与Navitas的紧密合作使我们能够提供一款先进的充电器,不仅能够快速高效地为OnePlus 11 5G内置的高容量电池供电,而且能够将充电器的尺寸和重量保持在绝对最小的水平。”
Navitas创始人兼首席执行官Gene Sheridan表示:“与OnePlus的关系将不断加强。我们很荣幸,我们的技术再次被OnePlus选中,并很高兴被邀请参与OnePlus 11 5G的正式发布。”
上一篇:艾迈斯欧司朗OSLON... | 下一篇:Ams Osram认证Aixtron设... |