EPC推出200V 10 mΩ GaN FET

加入占位面积兼容QFN封装器件系列，实现高效率和设计灵活性

EPC在热增强QFN中引入了200 V、10 mΩ的EPC2307 GaN FET，其位地面积为3 mm x 5 mm。

EPC2307与之前发布的100 V 1.8 mΩ EPC2302、100 V 3.8 mΩ EPC23006、150 V 3 mΩ EPC230V、150 V 6 mΩ EPC23208和200 V 5 mΩ EPC23104的封装兼容，允许设计人员权衡RDS(on)与价格，通过在同一PCB封装中减少不同的器件来优化解决方案的效率或成本。

该器件的特点是具有暴露顶部的热增强QFN封装。EPC表示，极小的热阻通过散热片或散热器改善了散热性能，从而获得优异的热性能，而可湿性侧翼简化了装配，且面积兼容性为规格变化提供了设计灵活性，可快速上市。

据称，这一系列器件为电机驱动设计带来了几个好处，包括：高电机+逆变器系统效率的非常短的空载时间、降低磁损耗的电流纹波、提高精度的低转矩纹波以及降低成本的低滤波。

对于DC-DC转换应用，这些器件在硬开关和软开关设计中提供高达五倍的功率密度、优异的散热和较低的系统成本。此外，振铃和过冲都显著减少，以获得更好的EMI。

EPC联合创始人兼首席执行官Alex Lidow表示：“这一系列面积兼容、易于组装的器件的持续扩展为工程师提供了快速优化设计的灵活性，而不会延迟上市时间。该系列器件非常适合于更小、重量更轻的电机驱动器、更高效、更小的DC-DC转换器以及更高效的太阳能优化器和微型逆变器。”

开发板

EPC90150开发板是具有EPC2307 GaN的半桥。这些板旨在简化评估过程，加快上市时间。2英寸x 2英寸（50.8 mm x 50.8 mm）电路板设计用于实现最佳开关性能，并包含所有关键部件，便于评估。

EPC2307的定价为每个3.54美元。EPC90150开发板的价格为200.00美元。

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