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安森美提高SiC产量

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为了满足SiC电力电子产品需求的大幅增长，安森美正在提高其生产SiC衬底和外延片的能力。

作者：Richard Stevenson，CS杂志主编

在我们的行业中，最引人注意的领域是SiC。这种芯片的销售额正在以惊人的速度增长，这是由于电动汽车制造商的巨大需求，以及这些器件在能源基础设施中的部署增加，因为它们使效率得到了提高。

为了满足不断增长的需求并扩大销售额，SiC器件制造商正在扩大产能。正在进行努力的就包括跨国硅和芯片生产商安森美半导体，该公司最近宣布计划大幅提高其生产晶锭、制造和抛光衬底以及生长外延片的能力。

据该公司高级副总裁兼先进功率部（隶属功率解决方案集团）总经理Asif Jakwani称，此次增加的大部分产能将用于内部芯片生产。他说：“我们是一个完全集成的IDM，特别是在和硅方面，我们希望有能力提供我们自己的衬底。”

支持这一计划的是安森美在2021年底收购了晶锭制造商GT Advanced Technologies，该公司在新罕布什尔州的哈德逊设有工厂。“我们在同一区域内收购了第二栋建筑，这两栋建筑正在推动的扩张。”

安森美半导体还在扩大其位于捷克共和国罗兹诺夫（Roznov）的工厂的产能，该工厂提供SiC晶圆的抛光和外延生长；以及硅的抛光、外延生长和代工制造。

该工厂于2019年引入SiC加工，投资总额为1.5亿美元，并计划在2023年再投入3亿美元。

安森美半导体尚未确切说明将如何使用这笔钱。“但我可以告诉你，我们的大部分资本投资都针对。”Jakwani透露。

在这项投资的推动下，到2024年底，罗兹诺夫的这座SiC工厂的SiC晶圆和外延生长能力将会扩大16倍。

这一惊人的扩张水平将通过购买平滚磨、切片（slicing）、抛光和外延生长的工具来支持。

安森美是一家垂直整合的SiC器件制造商。它的生产从SiC晶锭的生长开始，这些晶锭被切片并加工成衬底。

迈向 200 mm

如今，按照 SiC 行业的惯例，二极管和晶体管的生产基于直径为 150 mm的衬底。然而，安森美正在为迁移到200毫米平台奠基。

“我们的首席执行官在今年第一季度宣布，我们已经在富川工厂生产了200毫米的二极管晶圆，”Jakwani评论道，他补充说，所有购买的设备都可以转换成这种更大的尺寸。

“最初的生产将是150毫米，但我们的计划是将所有设备转换为200毫米。

通过投资更多能够加工更大晶圆的工具来扩大SiC产能，应确保更高的利润率。

“规模经济稀释了固定成本，并能够更好地利用设备，”Jakwani说，他指出，当晶圆厂拥有更多加工设备时，这将最大限度地减少晶圆通过生产线时发生的限制。

自2000年第一个肖特基势垒二极管出现在市场上以来，SiC已经有了长足的进步。然而，这个行业还有很长的路要走，Jakwani解释道：“如果你能想象50年前的硅，还处于相当的起步阶段。”

他预计，随着该行业从150毫米晶圆转向200毫米晶圆，材料质量、外延和晶圆厂设备都将得到改进。他还希望看到对所采用的工艺和设备结构进行改进。

与许多同行一样，安森美是一家垂直整合的制造商。Jakwani说，这带来了好处，包括有机会准备找出缺陷的原因，可以一直追溯到晶体生长。一旦原因得到解决，产量就会增加。

到2024年底，罗兹诺夫工厂的扩建预计将创造200个工作岗位。

Jakwani说：“我们正在将一些硅领域最优秀的人才迁移到上，”他指出，这种迁移将得到这些工程师在IGBT方面的经验的帮助，因为IGBT通常在高电流和电压下工作。

劳动力的增加也将得到支持，从半导体行业内部招聘工程师，并与大学合作，通过实习来帮助吸引新的人才。

“通过所有这些努力，我们能够培养一支良好、坚实的员工队伍，这对于我们成为行业领导者至关重要。”

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