Fujitsu 开发出全球首款覆盖C-Ku波段的GaN HEMT 收发组件

Fujitsu 开发出全球首款覆盖C-Ku波段的GaN HEMT 收发组件

      

      日本富士通实验室（FUJITSU LABORATORIES）宣布其已经成功开发出世界第一个采用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的收发（T/R）组件，该组件输出10W的功率，可以在C波段、X波段及Ku波段（C-Ku波段）工作，频率覆盖6-18GHz的超宽范围。将去年开发的世界性能最好的GaN功率放大器和最新开发的GaN低噪声放大器（LNA）结合, 富士研究人员实现了这个高输出的紧凑型T/R组件。

      这项技术可以把以前工作在不同波段的通信设备整合到单一组件上，从而可以开发出更小更轻的雷达设备和无线通信系统。

      GaN通常被用作蓝色LED交通信号灯。与传统的半导体Si和GaAs材料相比，GaN具有高饱和载流子速率和相对高的耐电压击穿性，所以GaN HEMT晶体管有高输出功率和极好的工作效率等特点。

      在当今网络社会，各种无线设备迫切需要进一步扩展无线波段。例如飞机雷达常在C波段、X波段、Ku波段之间进行转换，多个波段需要多个通信设备来匹配。而这种覆盖C-Ku全波段的T/R组件能够满足各波段的需求，可以使系统更紧凑。