EpiPix开发出超高亮度超小型Micro-LED

 基于谢菲尔德大学氮化镓材料和器件中心Wang Tao教授多年的GaN半导体研究成果，谢菲尔德大学的子公司EpiPix向业界提供超高亮度，超小型Micro-LED阵列。EpiPix公司已经展示了单晶圆Micro-LED阵列原型产品，这些Micro-LED像素的尺寸从30微米到5微米不等。

一种直接的Micro-LED制作方法普通III型氮化物Micro-LED是使用标准光刻工艺制造的，这之后需要进行干法蚀刻。不过，干法蚀刻会造成对Micro-LED表面的损伤，特别是较小尺寸的Micro-LED。这种损伤会降低Micro-LED的光学性能，比如LED的内外量子效率。也正是因为此，业界人士都在努力制造高亮度、五微米尺寸以下的Micro-LED。

鉴于此，Wang及其同事决定采用一种完全不同的方法，他们在过去五年一直在开发一种直接外延的方法。使用这种方法制造超小且超亮的InGaN Micro-LED，可以免去干法蚀刻工艺。

在这种方法中，开发人员将n-GaN层生长在硅或蓝宝石衬底上，以生成一种生长中的n-GaN模板。接着，开发人员会将SiO₂膜生长在特定n-GaN层上，该n-GaN层具有所需Micro-LED形状和直径的孔阵列。再接下来，开发人员便可以将LED结构生长到此预图案化的SiO₂微孔阵列模板上，以生成Micro-LED阵列。

“ Wang的工艺不涉及干法蚀刻，其损伤以及相应的光学性能下降可以规避，所以我们的Micro-LED阵列可以获得非常好的外量子效率，”Camilleri说，“这就是我们的技术获得如此多市场关注的原因。”

到目前为止，EpiPix已经可以在两英寸的晶圆上进行这种Micro-LED的制造，现在可以将其进一步沉积到四英寸或六英寸的衬底上。在接下来的18个月乃至两年内，他们将专注于产品开发，测试版原型制作，测试以及向客户提供样品。借助现有工艺和设备的验证，这些Micro-LED晶圆在未来可以实现大批量生产。