山东天岳 功率半导体芯片项目开工，推进 产业化

2019年2月27日，作为济南114个集中开工项目之一，山东天岳 功率半导体芯片研发与产业化项目正式开工。

功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目是济南2019年市级重点项目之一，据悉，该项目总投资65000万元，项目总占用厂房面积为2400平方米，主要将建设 功率芯片生产线和 电动汽车驱动模块生产线各一条，利用厂区原有厂房的空置区域建设。

据山东天岳官方消息，本项目以硅烷和甲烷在氢气和氩气条件下制得SiC衬底外延片后，经掩膜淀积、光刻、显影、灰化、刻蚀和检验封装等工序，生产SiC MOSFET晶体管，设计年生产规模为400万只/年；以 外延材料为原料，经晶圆标记、离子注入、厂板淀积、欧姆接触、肖特基电极、钝化层制备等工序，生产SiC功率二极管，设计年生产规模为1200万只/年；以 芯片为原料，经焊接、清洗、铝引线键合灌封硅凝胶等工序，生产 电动汽车驱动模块，设计年生产规模为1万只/年。

山东天岳是山东大学晶体研究所的产业化基地，主要从事宽禁带 半导体衬底的研发与生产，广泛应用于电力输送、航空航天、新能源汽车、半导体照明、5G通讯等技术领域。

山东天岳先进材料科技有限公司成立于2010年10月，山东天岳晶体材料公司是其旗下控股公司。截至2018年底，山东天岳累计投资15亿元建成了 单晶衬底材料产业化基地。

2017年，山东天岳自主开发了全新的高纯半绝缘衬底材料，目前量产产品以4英寸为主。此外，其4H导电型 衬底材料产品主要有2英寸、3英寸、4英寸及6英寸。山东天岳还独立自主开发了6英寸N型 衬底材料，现在产品正处于工艺固化阶段。

2018年11月，山东天岳 材料项目在浏阳高新区开工，项目总投资30亿元，一期主要生产 导电衬底、二期主要生产功能器件。