四合一封装产品集尺寸、重量、功率和成本优势与高RF生存性于一体
预计到 2022 年,适合雷达应用的 RF 前端组件的需求量将超过 10 亿美元,未来五年的复合年增长率为 9%。由于 GaN 普及率明显超过其他技术选项,因此预计未来五年,国防应用的 RF GaN 器件市场(如雷达、电子战和通信)的复合年增长率将达到 24%。
Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的创新 GaN 技术构建,可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性,同时可缩减尺寸、重量和成本。
GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能,包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到 100mW 的输入功率条件下都会受损,与之相比,GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的输入功率,且不会造成永久损坏。
Qorvo 高性能解决方案总经理 Roger Hall 表示:“利用 Qorvo 经过现场验证的 GaN 技术,客户可解决许多 AESA 雷达系统设计相关挑战,包括提高功率输出和可靠性。新推出的 GaN 模块符合出口要求,提升了我们交付最高级别集成产品(四合一产品)的能力,有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的 FEM。”
符合资格的客户现在可索取这些符合 EAR99 出口要求的新产品样品。更多信息,请访问 qorvo.com/defense。
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QPM2637 |
QPM1002 |
RX |
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噪声系数 |
2.7dB |
2.2dB |
小信号增益 |
21dB |
25dB |
RF 输入功率生存性 |
4W |
2W |
TX |
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小信号增益 |
32dB |
33dB |
饱和功率 |
36dBM |
35dBM |
PAE |
36dBM 时为 38% |
35dBm 时为 32% |
尺寸 |
6.0 x 5.0 x 1.8 mm |
5.0 x 5.0 x 0.85 mm |
#RF 输入接收器端口 |
双端口 |
单端口 |
关于Qorvo
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