下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件

美高森美继续扩大 产品组合提供

下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件 

将于6月5日至7日在PCIM欧洲电力电子展的6号展厅318展台

展示具有高重复性无箝制感性开关功能和高短路耐受能力的SiC解决方案

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布在下季初扩大其 (SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展，在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD/MOSFET产品系列中的其它最新器件。

美高森美继续扩大其SiC产品系列的开发工作，已经成为向市场提供一系列Si / SiC功率分立和模块解决方案的少数供应商之一。这些新一代SiC MOSFET器件非常适合工业 和汽车市场中的多种应用，包括混合动力车(HEV)/电动车(EV)充电、插电/感应式车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电动车动力系统/牵引控制。它们也可用于医疗、航天、国防和 数据中心应用中的开关模式电源、光伏(PV)逆变器和电机控制。

美高森美副总裁兼功率分立器件和模块业务部门经理Leon Gross表示：“对于电动车充电、DC-DC转换器、动力系统、医疗和工业设备以及航空驱动等应用，若要SiC解决方案快速获得采用，这些系统中使用的元器件必须具有较高效率、安全性和可靠性水平。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二极管系列将会通过AEC-Q101资质认证以确保高可靠性水平，而且其高重复性无箝制感应开关(UIS)能力在额定电流下不会出现退化或失效，可见其稳健性。”

市场研究机构Technavio指出，面向全球半导体应用的SiC市场预计在2021年前达到大约5.405亿美元，年复合增长率(CAGR)超过18%。该公司还预测2021年前全球汽车半导体应用SiC器件市场的年复合增长率将达到20%左右。美高森美在这些发展趋势中处于有利地位，其SiC MOSFET和肖特基势垒二极管器件具有高短路耐受能力的额定雪崩性能，能够实现稳健工作，并具有充足功能来满足这些不断增长的应用趋势。

与竞争Si/SiC二极管/MOSFET和IGBT解决方案相比，美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有对客户极具吸引力的巨大优势，包括可在更高的开关频率下实现更高效的开关运作，以及更高的雪崩/UIS额定值和更高的短路耐受额定值，从而实现稳健可靠的运作。例如，SiC MOSFET器件的开发重点是平衡特定导通电阻、低栅极电阻和热阻，以及低栅极阈值电压和电容，从而实现可靠的工作。这些器件针对高良率工艺和低温度范围参数变化而设计，在高结温(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解决方案) 工作，能够扩展HEV/EV及其它应用中的电池系统。

这些新器件样品正在进行AEC-Q101认证，并已通过了其中的高温反向偏压(HTRB)和时间依赖性介质击穿(TBBD)测试，证明可提供出色的栅极完整性和高栅极良率。其它主要特性包括： 

• 比竞争SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力，实现雪崩稳健性；
• 比竞争SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路额定性能，实现更稳健的工作；
• 针对中子敏感性，在额定电压下的失效时间(FIT)较同类Si IGBT器件降低10倍；性能与中子辐照有关的SiC竞争产品相当；以及
• 与Si器件相比，SiC器件具有更高的功率密度，充许尺寸更小的磁性元件/变压器/直流母线电容器和更少的散热元件，从而实现更紧凑的外形尺寸，降低整体系统成本。

 6月5日至7日在PCIM展会6号展厅318展台进行演示

美高森美产品专家将在PCIM展会期间于公司展台上展示其下一代SiC解决方案，重点展品包括最近推出的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二极管产品。如要了解更多信息或在展会期间安排会面，请访问公司网页https://www.microsemi.com/details/346-pcim-europe。