UnitedSiC的1200V FET能够为IGBT、硅和 MOSFET用户提供业界最高性能

UJ3C1200系列是一种直接更换的解决方案，无需改变栅极驱动电压

2018年5月24日，美国新泽西州普林斯顿 --- 功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列 （SiC ）结型场效应晶体管（JFET）共源共栅（cascodes）来升级现有系统的性能。这些器件的电压额定值为1200 V，导通电阻为80和40mΩ，能够为许多现有的IGBT、硅和 MOSFET部件提供“直接更换”替代解决方案，而无需改变栅极驱动电路。这简化了设计升级，并为现有零部件提供了可替代采购来源。

对于功率因数校正、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器等应用，需要更高的效率和/或功率密度，所涉及的终端应用包括车载电动汽车（EV）充电器、叉车电池充电、光伏逆变器以及焊接等。

UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶体管技术，将一个 JFET与定制设计的硅MOSFET集成在一起，凭借SiC JFET的速度、效率和高温额定值，实现通常关运行、高性能体二极管和MOSFET简单栅极驱动的完美组合。因此，现有系统可以实现性能提升，降低传导和开关损耗，提高热性能，并集成有栅极ESD保护。在新设计中，UnitedSiC UJ3C1200系列可提供实质性的系统优势，能够提高开关频率和效率，并可减小磁性元件和电容器等被动元件的尺寸和成本。

UnitedSiC将在PCIM 2018 ECOMAL欧洲展台7-406上展示1200V FET系列产品。

UnitedSiC还将参加两个小组讨论：

“未来5年电源制造商面临的挑战和机遇”-- 2018年6月5日（星期二）12：00 - 13：00，6展厅155号展位。

“ – 面向未来设计的器件” --- 2018年6月6日（星期三），13:30 – 14:30, 6展厅155号展位。

有关UnitedSiC的更多信息，请访问www.unitedsic.com。

价格和供货

UJ3C1200系列 场效应晶体管现已经在授权分销商处销售，发货数量最低为500件，起价为10.39美元。

主要优势

·   低Rdson：降低传导损耗

·   灵活的栅极驱动：易于直接更换IGBT、硅或其他 MOSFET设计，或使用0V至12V简单栅极驱动，节省BOM成本

·   低热阻：允许更高的RMS电流，提供更多的输出功率

·    ESD保护：HBM Class 2级别保护，确保栅极上的过压尖峰被钳位

评论

UnitedSiC副总裁Anup Bhalla在谈及新型SiC晶体管系列的优势时表示：“这些令人兴奋的新器件能够使设计人员采用SiC技术，而无需担心栅极驱动器的复杂性。高性能体二极管和集成式栅极ESD保护为设计人员带来更多附加值，同时帮助用户获得许多独家供应商部件的第二来源。”

技术资料

·    UJ3C120080K3S 数据表

·    UJ3C120040K3S 数据表

关于UnitedSiC

UnitedSiC致力于开发创新的 二极管和FET功率半导体，为电动汽车（EV）充电器、AC-DC和DC-DC电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器提供业界最佳的SiC效率和高温下的性能。